Madaxa Qubeyska Gaaska ee Adag ee SiC

Madaxa Qubeyska Gaaska ee Solid SiC waa qayb qaybin gaas ah oo si gaar ah loogu talagalay qolalka habka semiconductor-ka ee horumarsan. Qolalkan dhexdooda, xaaladaha kulaylka, kiimikada, iyo balaasmaha waxay u baahan yihiin agab leh xasillooni aad u wanaagsan si loo hubiyo joogteynta habka. Iyada oo laga dhisay walxo si buuxda u cufan oo saafi ah oo Silicon Carbide ah, qaybtani waxay door muhiim ah ka ciyaartaa hubinta keenista gaaska oo isku mid ah, dhaqdhaqaaqa socodka deggan, iyo ku celcelinta habka muddada dheer ee hababka wax soo saarka semiconductor-ka ee hore.

Geedi socodka kaydinta uumiga kiimikada (CVD) iyo hababka kaydinta uumiga kiimikada ee la xoojiyay (PECVD), Madaxa Qubeyska Gaaska ee Solid SiC si toos ah ayuu u xakameeyaa qaybinta booska ee gaasaska horudhaca ah ee galaya aagga falcelinta. Socodka gaaska ee isku midka ah ayaa muhiim u ah helitaanka xakamaynta saxda ah ee dhumucda filimka ee wafer-ilaa-wafer, isku mid ahaanshaha qaab-dhismeedka, iyo sifooyinka korontada ee la soo celin karo. Marka la barbardhigo naqshadaha quartz-ka dhaqameed ama graphite-ka dahaarka leh, Madaxa Qubeyska Gaaska ee CVD waxay ilaaliyaan joomatari sax ah iyo astaamaha socodka xitaa ka dib marka la soo bandhigo heerkul sare, kiimikooyinka daxalka leh, iyo jawiga balaasmaha.

Inta lagu jiro hababka xoqidda balaasmaha, Madaxa Qubeyska Gaaska waa inuu u adkeystaa kiimikooyinka xooggan ee ku salaysan fluorine iyo chlorine iyadoo la ilaalinayo heerarka soo saarista walxaha yar. Solid Silicon Carbide wuxuu bixiyaa dulqaad sare oo balaasmaha ah iyo xasillooni daxaleed, taasoo si weyn u yareyneysa sameynta walxaha marka loo eego qaab-dhismeedka dahaarka leh ama isku-dhafan. Tani waxay kor u qaadaysaa isku-midnimada cabbirka muhiimka ah (CD), waxay bixisaa astaamaha etch-ka ee deggan, waxayna dheereysaa waqtiyada dayactirka ka hortagga ah.

Doorka Madaxyada Qubeyska Gaaska ee Solid SiC ayaa aad muhiim ugu ah koritaanka epitaxial-ka silicon carbide (SiC) iyo gallium nitride (GaN). Codsiyadani waxay caadi ahaan ku lug leeyihiin heerkul ka sarreeya 1500 °C iyo jawi hodan ku ah hydrogen. Qaybta Qaybinta Gaaska ee GaN Epitaxy ma aha oo kaliya qayb farsamo laakiin waa walax asaasi ah oo hubinaysa tayada lakabka epitaxial. Xasiloonida kuleylka ee aan caadiga ahayn ee Solid Silicon Carbide, isku-dhafka ballaarinta kulaylka oo hooseeya, iyo iska caabbinta xoqidda hydrogen waxay awood u siinaysaa inay si kalsooni leh u keento horudhaca silicon, kaarboon, iyo dopant inta lagu jiro wareegyada koritaanka heerkulka sare ee dheer.

Marka laga eego habka wax soo saarka iyo aragtida kharashka, qaab-dhismeedka hal-abuurka leh ee Solid SiC Gas Shower Head wuxuu meesha ka saarayaa khataraha kala-goynta dahaarka iyo cilladaha la xiriira is-dhexgalka. Cimrigeeda adeegga ee dheeraadka ah waxay si weyn u yareysaa soo noqnoqoshada beddelka, waqtiga shaqada qolka, iyo khasaaraha wax soo saarka ee la xiriira dayactirka. Warshadaha semiconductor-ka iyo soosaarayaasha qalabka, tani waxay u tarjumeysaa horumar la taaban karo oo ku yimid waqtiga shaqada qalabka, xasilloonida habka, iyo hufnaanta wax soo saarka guud. Iyada oo ah bixiye tignoolajiyadeed oo hormuud ka ah qaybta semiconductor-ka ee Shiinaha, Semixlab waxay weli ka go'an tahay inay bixiso teknoolojiyadaha horumarsan iyo xalalka Solid SiC Shower Head ee loo habeeyay warshadaha semiconductor-ka. Semixlab si daacad ah ayay u rajeyneysaa inay noqoto lammaanahaaga muddada dheer ee Shiinaha.