Susceptor canjeelada Dahaarka leh ee SiC ee LPE PE3061S

Susceptor-ka Baankkeegga ee SiC ee LPE PE3061S waa qayb qaab-dhismeed kuleyl ah oo si gaar ah loogu farsameeyay nidaamka epitaxy-ga dareeraha ah ee LPE PE3061S. Wax soo saarka semiconductor-ka isku dhafan, tayada lakabka epitaxial si toos ah ayay u go'aamisaa waxqabadka qalabka iyo wax soo saarka, taasoo ka dhigaysa xasilloonida goobta kulaylka iyo daahirnimada kiimikada ee qaybaha fal-galayaasha inay muhiim tahay. Susceptor-kan Baankkeegga ee SiC ee dahaaran wuxuu bixiyaa taageero wafer ah oo la isku halleyn karo, wuxuu wanaajiyaa qaybinta kulaylka, wuxuuna muujiyaa iska caabin muddo dheer ah oo ku wajahan jawiga marxaladda dareeraha ee daxalka ah inta lagu jiro koritaanka epitaxial-ka heerkulka sare.

Susceptor-ka Pancake-ka ee Semixlab ee SiC Coated Pancake Susceptor wuxuu adeegsadaa garaafit isostatic cufnaan sare leh oo ah substrate-kiisa, oo ay weheliso hab dahaar sare si loogu mariyo dahaar Silicon Carbide cufan oo isku mid ah. Naqshaddan qaab-dhismeedka waxay muujinaysaa xasillooni cabbireed oo heer sare ah xaaladaha wareegga kulaylka caadiga ah oo u dhexeeya 700°C ilaa in ka badan 1100°C. Adkeysiga farsamada ee substrate-ka garaafitku wuxuu hubiyaa daacadnimada qaab-dhismeedka, halka dahaarka SiC uu bixiyo adkeysi dusha sare oo aan caadi ahayn iyo iska caabin qaab-dhismeed, taasoo ka hortagaysa qallooca kaas oo horseedi kara xasillooni darro dhalaalaysa ama korriin aan sinnayn oo epitaxial ah.

Nadiifnimada kiimikada iyo xakamaynta wasakhowga ayaa muhiim u ah wax soo saarka LPE. Dahaarka SiC wuxuu u shaqeeyaa sidii caqabad kiimiko ah, isagoo ka soocaya substrate-ka graphite dhalaalka oo ka hortagaya taabashada tooska ah, taasoo si weyn u yareyneysa khatarta faafitaanka kaarboonka ama wasakheynta birta. Xasilloonida kiimikada ee sare waxay sahlaysaa qaybinta joogtada ah ee dopant-ka, cufnaanta cilladaha oo hooseysa, iyo soo-saarista wafer-ilaa-wafer oo la xoojiyay.

Maareynta kulaylka ayaa si isku mid ah muhiim ugu ah gaaritaanka lakabyada epitaxial-ka ee waxqabadka sare leh. Joomatari fidsan ee substrate-ka ayaa kor u qaada qaybinta kulaylka radial-ka ee isku midka ah, halka dhaqdhaqaaqa kulaylka ee SiC ee ku dhex jira uu kor u qaado hufnaanta wareejinta kulaylka wuxuuna yareeyaa heerarka heerkulka maxalliga ah. Substrate-ku wuxuu fududeeyaa sameynta goob kuleyl oo deggan oo la xakameyn karo oo ku jirta fal-galiyaha PE3061S, isagoo taageeraya xakamaynta dhumucda lakabka epitaxial ee joogtada ah iyo sameynta isku-xirka siman. Xitaa kala duwanaanshaha heerkulka yar yar inta lagu jiro epitaxy-ga wejiga dareeraha ah (LPE) waxay beddelaan heerarka koritaanka iyo ku-darka dopant-ka. Sidaas darteed, isku-dhafka kulaylka ee heerka substrate-ka si toos ah ayuu u tarjumaa ku celcelinta habka sare iyo wax-soo-saarka wax-soo-saarka.

Waaritaanka iyo waxqabadka wareegga nolosha ayaa sidoo kale ah tixgelinno muhiim ah oo ku saabsan hababka wax soo saarka semiconductor-ka mugga sare leh. Dahaarka SiC ee cufan wuxuu muujiyaa iska caabin gaar ah oo ku wajahan nabaad-guurka, daxalka, iyo shoogga kulaylka, isagoo si weyn u kordhinaya cimriga qaybaha marka la barbar dhigo substrate-ka graphite ee aan dahaarka lahayn. Muddada dheer ee dheer waxay yareysaa soo noqnoqoshada dayactirka, waxay kordhisaa waqtiga shaqada qalabka, waxayna wanaajisaa wadarta kharashka lahaanshaha. Xarumaha wax soo saarka ee diiradda saaraya hawlgalka xasilloon ee muddada dheer ee nidaamyada LPE PE3061S, substrate adag oo kiimiko ahaan deggan ayaa ah qodob muhiim ah oo lagu hubinayo isku halaynta nidaamka.

Iyada oo ah soo-saare Shiinees ah oo hormuud ka ah qaybaha susceptor-ka graphite-ka ee SiC-da ku dahaaran, Semixlab waxay ku maareysaa susceptor kasta oo buskud ah oo SiC-da ku dahaaran oo loogu talagalay LPE PE3061S xakamaynta tayada adag si loo hubiyo isku-dhafka dahaarka, isku-dhejinta, hufnaanta dusha sare, iyo saxnaanta cabbirka. Qaybta waxaa si taxaddar leh loogu talagalay inay si buuxda ula jaanqaado qaab-dhismeedka nidaamka PE3061S, taasoo suurtogalinaysa is-dhexgal aan kala go 'lahayn oo ku jira habaynta habka jira iyada oo aan wax laga beddelin. Substrate-ka buskudka ee SiC-da ku dahaaran ee Semixlab PE3061S wuxuu isku daraa xasilloonida farsamada heerkulka sare, iska caabinta kiimikada ee aadka u fiican, iyo qaybinta kulaylka ee la hagaajiyay si loo bixiyo xal la isku halleyn karo oo loogu talagalay codsiyada epitaxy-ga heerka dareeraha ah (LPE) ee horumarsan. Waxaan rajeyneynaa su'aalahaaga dheeraadka ah.