Sumeeyaha ICP ee SiC ee dahaarka leh

Susceptor-ka ICP ee SiC ee Dahaaran waa qayb muhiim ah oo xiriir balaasma ah oo si gaar ah loogu talagalay hababka wax lagu qodo ee ICP (Inductively Coupled Plasma) ee wax soo saarka semiconductor-ka. Deegaanka balaasma ee cufnaanta sare leh halkaas oo xasilloonida habka, isku-midnimada kulaylka, iyo xakamaynta wasakhowga ay si toos ah u go'aamiso wax-soo-saarka iyo waxqabadka qalabka, susceptor-ka garaafiga wuxuu u adeegaa sida isku-xirka aasaasiga ah ee u dhexeeya wafer-ka, balaasma, iyo nidaamka maaraynta kulaylka.

Susceptors-ka Semixlab waxay isticmaalaan walxo isostatic graphite oo heer sare ah oo semiconductor ah oo lagu dahaadhay lakab Silicon Carbide oo cufan. Qaab-dhismeedkani wuxuu isku daraa kulaylka sare ee graphite iyo awood u lahaanshaha mishiinka iyo iska caabbinta daxalka plasma ee SiC ee gaarka ah iyo firfircoonida kiimikada. Xalka adag ee ka dhasha wuxuu u adkeystaa awoodda RF ee sare, kiimikooyinka ku salaysan halide ee daxalka leh, iyo duqeynta ion ee xooggan ee caadiga ah ee ku badan hababka qodista ICP.

Gudaha qolka etch-ka ee ICP, susceptor-ka graphite wuxuu door muhiim ah ka ciyaaraa booska wafer-ka, xakamaynta heerkulka, iyo soo celinta habka. Waxay siisaa taageero farsamo oo sax ah wafer-ka iyadoo awood u siineysa wareejinta kulaylka hufan si ay u taageerto qaboojinta helium-ka dambe iyo habaynta heerkulka deggan. Dhaqanka kulaylka ee isku midka ah ee dusha sare ee wafer-ka ayaa muhiim u ah ilaalinta heerarka etch-ka ee joogtada ah, isku-midnimada cabbirka muhiimka ah (CD), iyo xakamaynta astaanta - gaar ahaan saamiga sare ee muuqaalka iyo codsiyada etching-ka anisotropic. Dahaarka SiC wuxuu yareeyaa isbeddellada heerkulka maxalliga ah wuxuuna yareeyaa burburka uu keeno plasma-da.

Marka laga eego aragtida isdhexgalka balaasmaha, dahaarka SiC wuxuu u adeegaa sidii caqabad aad u waara oo ka dhan ah balaasmaha ku salaysan fluorine iyo chlorine ee badanaa loo isticmaalo in lagu xoqo silicon, dielectrics, iyo walxaha bandgap ballaaran. Marka la barbardhigo garaafka aan dahaarka lahayn ama walxaha dhoobada dhaqameed, heerka daxalka hooseeya iyo iska caabbinta sare ee micro-arcing si weyn ayuu u kordhiyaa cimriga qaybaha. Isla mar ahaantaana, lakabka SiC ee cufan wuxuu joojiyaa soo saarista walxaha iyo wasakhowga birta, isagoo buuxinaya shuruudaha nadaafadda ee adag ee warshadaha semiconductor-ka ee horumarsan iyadoo la taageerayo waqtiga shaqada ee qalabka guud iyo waqtiga celceliska u dhexeeya cilladaha (MTBF).

Qalabka ICP Etching Suscepter ee SiC Coated ICP wuxuu muujinayaa fahamka qoto dheer ee Semixlab Technology ee fiisigiska etching plasma, injineernimada agabka, iyo shuruudaha wax soo saarka semiconductor. Iyada oo la isku darayo qalabka Graphite-ka ee saafiga ah iyo tignoolajiyada SiC ee horumarsan, qalabka ICP Etching Suscepter ee Silicon Carbide Coated wuxuu bixiyaa xal dheellitiran oo si wax ku ool ah u xoojiya xasilloonida habka, dheereeya cimriga qaybaha, isla markaana taageera horumarka joogtada ah ee tignoolajiyada etching ICP.

Iyada oo ah soo saaraha Shiinaha ee hormuudka ka ah susceptors-ka ICP ee lagu dahaadhay SiC, Semixlab waxay ka go'an tahay inay bixiso la-talin farsamo oo horumarsan iyo xalal wax soo saar oo loo habeeyey warshadaha etching semiconductor-ka. Waxaan si daacad ah u rajeyneynaa inaan noqono lammaanahaaga muddada dheer ee Shiinaha.