Saxanka Wareegga ee Dahaarka TaC

Saxanka Wareegga Dahaarka ee TaC waa qayb muhiim ah oo wareeg ah oo loo habeeyay hababka semiconductor-ka ee horumarsan ee ka shaqeeya xaaladaha kulaylka daran, kiimikada, iyo farsamada. Semixlab, badeecadan waxaa si gaar ah loogu dabaqaa jawiga koritaanka epitaxial-ka heerkulka sare iyo habaynta kulaylka ee semiconductor-yada, halkaas oo xasilloonida muddada dheer, midnimada habka, iyo xakamaynta wasakhowga ay yihiin go'aamiyayaasha muhiimka ah ee wax soo saarka qalabka iyo joogteynta.

Kobaca epitaxial ee MOCVD, gaar ahaan semiconductors-ka isku-dhafka ah ee GaN iyo III-V, Saxanka Wareegga MOCVD wuxuu u adeegaa qayb muhiim ah oo ka mid ah nidaamka xakamaynta kulaylka iyo goobta socodka ee fal-galiyaha. Iyada oo awood u siinaysa xakamaynta wareegga deggan oo sax ah inta lagu jiro dhigista, waxay ka caawisaa celceliska heerarka heerkulka radial iyo kala duwanaanshaha fiirsashada gaaska ee dusha sare ee wafer-ka. Dahaarka tantalum carbide (TaC) ee cufan wuxuu hubiyaa dulqaad gaar ah oo loogu talagalay deegaannada hodanka ku ah hydrogen iyo kuwa biraha dabiiciga ah iyadoo la ilaalinayo hufnaanta dusha sare heerkulka ka sarreeya xadka waxqabadka ee qaybaha dhaqameed ee SiC ama graphite. Tani waxay si toos ah gacan uga geysaneysaa hagaajinta isku-dhafka dhumucda, yaraanta cufnaanta cilladaha, iyo soo noqnoqoshada dufcadda-ilaa-dufcad.

Kobaca epitaxial ee SiC ee substrates 4H-SiC iyo 6H-SiC, Taarikada Wareegga ee Dahaarka Carbide ee Tantalum Carbide ayaa sii noqonaysa mid aad muhiim u ah sababtoo ah heerkulka habka oo sarreeya iyo xaaladaha kiimikada oo aad u daran. Deegaankan, falgalayaasha epitaxial ee SiC waxay u baahan yihiin agab awood u leh inay u adkeystaan ​​​​soo-gaadhista muddada dheer ee jawiga haydarojiinta heerkulka sare iyada oo aan lahayn burburka dahaarka, soo saarista walxaha, ama wasakhowga substrate-ka. Barta dhalaalka ee TaC ee aadka u sarreeya (3880°C), cadaadiska uumiga oo hooseeya, iyo firfircoonida kiimikada ee aan caadiga ahayn waxay bixiyaan caqabad ilaalin oo adag oo yareysa nabaad-guurka dahaarka isla markaana xakameysa faafinta wasakhda ka timaadda substrate-ka ama substrate-ka.

Nidaamyada wareegga kuleylka ee heerkulka sare, daaweynta kulaylka, iyo nidaamyada wareegga kuleylka ee isku midka ah, Taarikada Wareegga Dahaarka ee Tantalum Carbide waxay u adeegtaa sidii is-dhexgal farsamo iyo kuleyl oo deggan, taasoo hubinaysa dhaqdhaqaaq wareeg oo siman iyo qaybinta kulaylka oo joogto ah. Iftiinka sare iyo xasilloonida kulaylka ee dusha sare ee Tantalum Carbide (TaC) waxay gacan ka geystaan ​​​​dejinta wareejinta kulaylka shucaaca, yareynta meelaha kulul ee maxalliga ah iyo cadaadiska kulaylka. Laga soo bilaabo isku halaynta habka iyo wadarta kharashka lahaanshaha, Disks-ka Wareegga Dahaarka TaC ee Semixlab waxaa loo sameeyay si ay u daboolaan baahiyaha wax soo saarka wafer fab-ka mugga sare leh. Habka dahaarka TaC ee la hagaajiyay wuxuu gaaraa cufnaan sare iyo isku-dhejin xooggan, taasoo si weyn u yareynaysa khatarta dildilaaca yaryar, kala-goynta dahaarka, iyo wasakhowga walxaha. Marka la barbardhigo dahaarka caadiga ah, cimriga adeegga ee dheeraadka ah wuxuu yareeyaa soo noqnoqoshada dayactirka iyo waqtiga aan la qorsheyn.

Annagoo ah soo-saare hormuud u ah Shiinaha iyo warshad adag oo ah Taarikada Wareegga Dahaarka TaC, oo ka faa'iideysanaysa aqoonta aragtiyeed ee gaarka ah ee Semixlab iyo khibradda farsamo ee agabka dhoobada ee horumarsan iyo hababka dahaarka semiconductor-ka, Taarikada Wareegga Dahaarka ee Tantalum Carbide waxay noqdeen xal la xaqiijiyay oo loogu talagalay hababka semiconductor MOCVD, hababka koritaanka epitaxial SiC, iyo nidaamyada kulaylka heerkulka sare, iyagoo bixinaya waxqabad muddo dheer ah oo la saadaalin karo oo loogu talagalay warshadaha. Waxaa ka sii muhiimsan, Semixlab waxay weli ka go'an tahay inay bixiso hagitaan farsamo oo horumarsan iyo xalal loo habeeyay goobta epitaxy semiconductor-ka. Waxaan si daacad ah u rajeyneynaa inaan noqono lammaanahaaga muddada dheer ee Shiinaha.