Jeex wafer ah oo dahaarka leh oo TaC ah

Qalabka wafer-ka ee Semixlab ee TaC-da ku dahaaran waxay u adeegaan sidii qaybo muhiim u ah haynta wafer-ka ee hababka koritaanka epitaxial-ka silicon carbide (SiC), halkaas oo guushu ay ku xiran tahay u adkeysiga heerkulka daran, jawiga kiimikada ee daxalka leh, iyo dulqaadka habka aadka u adag. Iyada oo loo sameeyay cimri dherer, nadiifin, iyo soo noqnoqoshada habka, hayayaasha wafer-ka ee TaC-da ku dahaaran ee Semixlab waxay taageeraan wax soo saarka SiC-da ee wax soo saarka sare leh iyagoo kor u qaadaya isku-midnimada epitaxial, fidinta waqtiyada dayactirka, iyo kordhinta waqtiga shaqada ee qalabka ee jawiga wax soo saarka mugga sare leh.

Iyada oo laga sameeyay substrate graphite saafi ah oo sax ah oo lagu farsameeyay si loo hubiyo fidsanaan, isku-dhafan, iyo xasillooni cabbir leh marka la eego culeyska kulaylka, substrate-ka waxaa lagu dahaadhay lakab cufan oo tantalum carbide ah (TaC). Tani waxay samaysaa dusha sare oo kiimiko ah oo aan firfircoonayn, oo u adkaysta kulaylka si toos ah loogu soo bandhigo wafers-ka SiC iyo jawiga habka falgalka ah. Tantalum carbide waxay ka mid tahay agabka dhoobada ugu xasilloon ee wax soo saarka semiconductor-ka, iyadoo leh dhibic dhalaalaysa oo ka badan 3880°C iyo iska caabin gaar ah oo ku wajahan haydarojiin, gaasaska ka kooban halogen, iyo uumiga silicon ee badanaa laga helo SiC CVD iyo hababka epitaxial-ka heerkulka sare.

Gudaha falgalayaasha epitaxy ee SiC, kuwa haysta wafer-ka dahaaran ee TaC waxay door muhiim ah ka ciyaaraan ilaalinta xasilloonida goobta kulaylka iyo heerkulka wafer-ka isku midka ah ee dusha sare ee koritaanka oo dhan. Epitaxy-ga SiC wuxuu caadi ahaan ku dhacaa heerkul ka badan 1600°C, halkaas oo xitaa heerkulka daqiiqadaha ah uu sababi karo isku-dhafka heerka koritaanka, isbeddellada dopant-ka, ama cilladaha kristalinta sida cilladaha is dulsaarka. Dahaarka TaC wuxuu ilaaliyaa hufnaanta dusha sare inta lagu jiro soo-gaadhista heerkulka sare ee dheer, isagoo ka hortagaya miridhku, dildilaaca yaryar, ama dildilaaca dahaarka.

Sidoo kale muhiimad weyn ayay leedahay doorka qofka haysta wafer-ka ee go'doominta kiimikada iyo xakamaynta wasakhowga. Inta lagu jiro epitaxy-ga SiC, dadka haysta waxaa si joogto ah loogu soo bandhigaa deegaanno hodan ku ah haydarojiin iyo waxyaabo koloriin ku jira. Alaabada dhaqameed ama dahaarka waxqabadka hooseeya ayaa u nugul nabaad-guurka kiimikada xaaladahan, taasoo horseedaysa burburka dusha sare iyo soo saarista walxaha. Dahaarka TaC wuxuu u adeegaa sidii caqabado faafin iyo falcelin oo aad waxtar u leh, isagoo yareynaya isdhexgalka kiimikada ee u dhexeeya qofka haysta iyo gaasaska habka iyadoo si weyn loo dhimayo sii deynta wasakhda birta iyo sameynta walxaha. Tani waxay si toos ah gacan uga geysaneysaa hagaajinta nadaafadda qolka, waqtiyada dayactirka oo la dheereeyey, iyo wax soo saarka qalabka oo la xoojiyay.

Marka laga eego aragtida isdhexgalka habka, chucks-ka wafer-ka ee lagu dahaadhay TaC waxay awood u siinayaan booska wafer-ka ee la soo celin karo, xiriirka dhabarka oo deggan, iyo isku-xidhka kulaylka oo joogto ah - dhammaantood waa muhiim si loo gaaro isku-dheellitirka dufcadda-ilaa-dufcadda ee wax soo saarka mugga. Awooddooda farsamo iyo cimri dhererka kiimikada waxay hubiyaan waxqabad waara inta lagu jiro wareegyada geedi socodka ee la dheereeyay, iyagoo yareynaya waqtiga aan la qorshayn iyo hoos u dhigista wadarta kharashka lahaanshaha.

Iyada oo ka faa'iideysanaysa khibrad ballaaran oo ku saabsan agabka heerkulka sare leh iyo qaybaha habka semiconductor-ka, Semixlab waxay naqshadeysaa oo soo saartaa chucks-yada wafer-ka ee lagu dahaadhay TaC si ay u daboolaan baahiyaha adag ee aaladaha epitaxial-ka ee SiC ee horumarsan. Badeecad kastaa waxay mudnaanta siisaa daahirnimada agabka, isku-midnimada dahaarka, iyo is-waafajinta habka, iyadoo hubinaysa waxqabad la isku halleyn karo xitaa deegaannada epitaxial-ka ee ugu adag. Waxaan si daacad ah u rajeyneynaa weydiimahaaga.