Walxaha badan ee CVD SiC ee saafiga ah

Maaddada Calool ee CVD ee Nadiifka Sare leh ee SiC waa walax polycrystalline ah oo cufan, oo laga sameeyay habka Kiimikada Uumiga (CVD). Waxaa si gaar ah loogu talagalay koritaanka kiristaalo keli ah oo silikoon ah oo carbide ah iyadoo la adeegsanayo habka Jirka ee Uumiga (PVD) waxayna u adeegtaa sidii walax il jiil dambe ah si loogu beddelo budada SiC ee dhaqameed.

Badeecadan waxaa lagu sameeyaa dib u warshadayn iyo dib u isticmaalka qaybaha semiconductor-ka ee CVD-SiC ee nadiifka sare leh ee la tuuray. Iyada oo loo marayo hababka sida burburinta, kala-soocidda, iyo nadiifinta, waxaa loo beddelaa walxo cayriin ah oo qaab baloog ah oo leh cabbirro la xakameeyey. Waxay bixisaa faa'iidooyin asaasi ah oo ay ku jiraan daahirnimo aad u sarreysa, maqnaanshaha wasakhowga boodhka kaarboon, iyo heerarka koritaanka degdegga ah.

Maxaad u dooratay Walxaha badan ee CVD-SiC inay yihiin Walxaha Isha PVT?

1. Horumarka Tiknoolajiyada

Daraasado dhowaan la sameeyay ayaa muujiyay in isticmaalka walxaha CVD-SiC ee la jajabiyey oo ah agabka isha PVT uu suurtogal ka dhigo koritaanka degdega ah ee kiristaalo keli ah oo SiC ah oo hoos yimaada heerarka heerkulka sare ee toosan (~3.8 °C/mm), isagoo gaaraya heer koritaan oo ah 1.46 mm/saacaddii iyadoo la ilaalinayo tayada kiristaalo ee aadka u fiican——iyadoo leh ballac buuxa oo ah ugu badnaan nus (FWHM) ee ugu sarreeya (0004) ee qaabka kala-soocidda raajada X-ray oo ah 18.9 arcsec oo keliya.

2. Wax ka qabashada Arrimaha Dhaxalka ah ee Ilaha Budada Dhaqanka

Budada SiC ee dhaqameed waxay ka kooban tahay tiro badan oo walxo yaryar ah oo si gaar ah ugu dul sabbeeya heerkulka sare, iyagoo sii daaya wasakhda oo soo saara "C-bust" (walxaha kaarboonka adag). Heerarka koritaanka sare, walxahan waxaa qaadi kara qulqulka gaaska ee dusha sare ee kiristaalka, taasoo keenta cillado ku-darka. Qalabka badan ee CVD-SiC ma laha walxo yaryar, taasoo si aasaasi ah u xallinaysa arrintaan.

3. Dib-u-warshadaynta Kheyraadka

Walxaha badan ee CVD-SiC waxaa laga soo qaatay qaybaha CVD-SiC ee saafiga badan (sida doonyaha garaafka iyo kuleyliyeyaasha) ee loo isticmaalo hababka semiconductor-ka. Ka dib marka la soo celiyo oo la burburiyo, agabkan dib ayaa loo isticmaalaa, taasoo hubinaysa daahirnimo aad u sarreysa iyadoo awood u siinaysa isticmaalka waara ee kheyraadka.

Adeegyada Khaaska ah

Waxaan bixin karnaa adeegyadan soo socda iyadoo lagu saleynayo baahiyaha gaarka ah ee hababka kobaca PVT ee macaamiisheenna:

Halbeegyada Technical

Waxyaabaha Nadaafadda Caadiga ah (Falanqaynta GDMS)

Codsiyada Goobta

Codsiga ugu Muhiimsan: Alaab laga soo qaatay kiristaalo keli ah oo SiC ah oo lagu beero PVT

Badeecadan waxaa si gaar ah loogu talagalay habka gaadiidka uumiga jirka (PVT) ee lagu beero substrate-ka keli ah ee 4H-SiC iyo 6H-SiC, iyadoo u adeegta sidii walxo beddel u ah ilaha silikoon iyo kaarboonka saafiga ah ee sare.

Habka Mabaadi'da:

1. Heerkulka sare (2100–2500°C) iyo cadaadiska hoose (~4 kPa), walxaha badan ee CVD-SiC ayaa hoos u soo baxa si ay u soo saaraan noocyo gaas ah sida Si, SiC₂, iyo Si₂C.

2. Iyada oo ay ku kacaan heerkulka, noocyadan gaaska leh waxaa loo qaadaa dusha sare ee kiristaalka abuurka.

3. Dib-u-cusboonaysiinta kiristaalka abuurka waxay samaysaa kiristaal keli ah oo SiC tayo sare leh.