CVD Tantalum Carbide (TaC) Dahaarka

Dahaarka TaC waxaa badanaa la tixgeliyaa marka SiC uu bilaabo inuu gaaro xadkiisa. Tani waxay si joogto ah uga dhacdaa koritaanka SiC epitaxy ama kiristaalka, halkaas oo heerkulka iyo jawiga habka labaduba ay aad u baahan yihiin.

Iyada oo leh dhibic dhalaalid aad u sarreysa, TaC waxay si fiican ula qabsataa soo-gaadhista heerkulka sare ee dheer, gaar ahaan deegaannada leh haydarojiin ama HCl. Dhab ahaantii, tani waxay samaysaa farqi ku yimaada hababka sida koritaanka PVT, halkaas oo xasilloonida kulaylka ay si toos ah u saamayso tayada kiristaalka.

Codsiyada caadiga ah waxaa ka mid ah faraantiyada hagaha socodka, hayaha abuurka, qaybaha la xiriira dabka, iyo qaabab kale oo gudaha ku jira goobta kulaylka. Qaybahani waxay la kulmaan xaalado adag muddo dheer, sidaa darteed yaraynta burburka ayaa muhiim noqota. Qaababka qaarkood, TaC waxay si tartiib tartiib ah u beddelaysaa agabkii hore sida pBN, iyo xitaa qaybo ka mid ah SiC-dahaarka leh, inkastoo tani ay weli ku xiran tahay kharashka iyo naqshadeynta habka.