EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Haystaha Wafer-ka CVD SiC
Haystayaasha wafer-ka ee Semixlab ee SiC waxaa laga sameeyay graphite isostatic cufnaan sare leh, ka dibna waxaa lagu dahaadhay lakabka CVD silicon carbide oo saafi ah oo sarreeya. Waxaa loo sameeyay xaaladaha adag ee gudaha MOCVD iyo falgalayaasha epitaxy. Natiijada: isku mid ahaanshaha kulaylka wanaagsan ee wafer-ka, iyo wasakhowga birta oo aad u hooseeya - taas oo si toos ah u caawisa wax soo saarkaaga iyo waxqabadka qalabka.
Description
Epitaxy-ga semiconductor-ka isku dhafan - sida GaN-on-Si, GaN-on-sapphire, ama MicroLED - hayaha wafer-ka (mararka qaarkood waxaa loo yaqaan susceptor-ka dahaarka leh ee SiC) waa qayb muhiim ah. Waxay ku dhex jirtaa kuleyliyaha iyo wafer-ka waxayna maamushaa inta badan wareejinta kulaylka.
Maxay injineeradu u doortaan hayayaasha wafer-ka Semixlab SiC?
● Nadiifnimada 7-sagaal (biraha guud < 5 ppm) – Waxaan isticmaalnaa hab CVD gaar ah (oo uu sameeyay Prof. Shaolong He) kaas oo biraha raadadka sida Fe, Cu, iyo Ni ka dhigaya kuwo aad u hooseeya. Taas macnaheedu waa cillado yar oo shabag ah inta lagu jiro koritaanka GaN ee xasaasiga ah.
● Isku mid ahaanshaha kulaylka wanaagsan (±1%) - Filimka CVD SiC wuxuu leeyahay gudbin kuleyl oo sare (~300 W/m·K). Kulaylku si dhakhso leh oo siman ayuu u faafaa, taasoo ka caawisa yaraynta qaansada wafer iyo cadaadiska kulaylka.
● Iska caabin xooggan oo u dhaxaysa daxalka H₂ iyo NH₃ - Si ka duwan garaafit qaawan ama quartz, dahaarkayaga SiC ee cufan wuxuu ku sii jiraa mid aan firfircoonayn heerkulka sare ee ammonia iyo socodka haydarojiin (900-1200 °C). Daadinta walxaha ayaa yar, qaybtuna waxay socotaa 3-5 jeer ka dheer.
● Isbarbardhigga CTE - Lakab gaar ah oo kala-guur ah ayaa si fiican u ilaaliya isku-dhafka ballaarinta kulaylka ee u dhexeeya dahaarka iyo garaafka. Ma jiro dildilaac ama dildilaac, xitaa inta lagu jiro kor u kaca degdega ah iyo hoos u dhigista.
sooc
| dhimaya | Qiimaha caadiga ah | Waa Maxay Sababta? |
| Waxyaabaha daahan | 99.99999% CVD SiC | Daadashada ion ama wasakhaynta birta culus ma jirto |
| Substrate | Graphite isostatic cufnaanta sare | Waxay ku haysaa xoog 1600 °C |
| Qabsashada kuleylka | ~300 W/m·K (at RT) | Dhumucda lakabka EPI xitaa |
| Dahaarka adkaanta | ~2500 HV (Vickers) | Waxay ka hortagtaa xirashada/soo dejinta otomaatiga ah |
| Meelaha dusha sare leh | Ra < 0.2 μm | Ku dhegid yar oo ah polymers-ka iyo waxyaabaha ka soo baxa |
| Dhignaashada | habeynta | Saxnaanta ayaa la jaanqaadaysa shuruudahaaga habaynta |
Codsiyada
Xaaladaha muhiimka ah ee codsiga
● GaN-on-Si / GaN-on-sapphire epitaxy - Muhiim u ah aaladaha korontada iyo jajabyada RF, halkaas oo xasilloonida kulaylka maxalliga ahi ay si toos ah u saamayso dhaqdhaqaaqa korantada ee lakabka GaN.
● Shaashadaha MicroLED iyo kuwa horumarsan - Waxay u baahan yihiin daahirnimo aad u sarreysa iyo walxo aad u yar, kuwaas oo haysteheenu u bixiyo taxane LED ah oo cufnaan sare leh.
● Kobaca kiristaalka SiC (PVT) - Waxay u shaqeysaa sidii side waxqabad sare leh oo loogu talagalay agabka isha SiC, waxayna taageeri kartaa heerarka koritaanka ilaa ~ 1.46 mm/saacaddii.
● Habaynta kulaylka degdegga ah (RTP) - Haystuhu wuxuu la tacaali karaa shoogga kulaylka xad-dhaafka ah inta lagu jiro wareegyada dab-damiska degdegga ah iyada oo aan lahayn dildilaac yar.
Advantage tartanka
Faa'iidooyinka Semixlab
Ma nihin alaab-qeybiye oo keliya - waxaan isku daynaa inaan noqono lammaane dhab ah baahiyahaaga goobta kulaylka. Semixlab waxaa aasaasay cilmi-baarayaal ka socda Akadeemiyada Sayniska Shiinaha, waxaanan ku shaqeynaa in ka badan 12 khad oo wax soo saar CVD ah oo u gaar ah. Waxaan sidoo kale leenahay mashiin CNC oo 5-axis ah oo gudaha ah, si aan u sameyno hayayaasha wafer-ka leh dulqaad adag sida ±0.01 mm. Taas macnaheedu waa inay si toos ah ugu dhacaan qalabkaaga caalamiga ah iyagoon ku xirnayn qalab dheeraad ah.
Adeegyada aan bixino
Dukaanka wax soo saarka Semixlab
