8-inji giraanta garaafka dahaarka leh ee SiC ee loogu talagalay SiC Epitaxy

Astaamaha Qalabka iyo Jirka

Semixlab's SiC giraanta garaafyada dahaarka leh waxaa laga soo sameeyay garaafyada istatic-ka ah sida walxaha saldhigga ah, oo ay ku xigto dhigaalka uumiga kiimikaad labbisan (CVD) SiC. Qaab dhismeedkan gaarka ah wuxuu bixiyaa dheellitirka xoogga, saxnaanta, iyo iska caabinta xaaladaha habsocodka adag.

Codsiyada ku jira Habka SiC Epitaxic

Habka kobaca epitaxial ee SiC, giraanta garaafiga ee dahaarka leh ee SiC waxay u adeegtaa sidii qayb qaabdhismeed iyo mid shaqaynaysa oo u dhaxaysa wafer, susceptor, iyo qaybaha kale ee garaafka gudaha qolka falcelinta MOCVD ama CVD. Wax qabadkeedu wuxuu si toos ah u saameeyaa tayada lakabka epitaxial, lebbiska filimka, iyo guud ahaan xasilloonida fal-celinta - dhammaan cabbiraadaha muhiimka ah ee soo saarista aaladda awoodda SiC ee wax-soosaarka sare leh.

1. Taageerada Waferka iyo Isku-habaynta

Giraanta garaafyada si sax ah ayaa loo farsameeyay si loo hubiyo meelaynta saxan ee wafer-ka iyo meelaynta aaminka ah inta lagu jiro kaydinta epitaxial heerkul sarreeya. Degganaanshaheeda cabbirka ee culeyska kulaylka ayaa ilaalinaya toosinta wafer-ka saxda ah waxayna ka hortagtaa qulqulka geesaha, hubinta koritaanka lakabka joogtada ah ee dusha sare ee waferka.

2. Qaybinta kulaylka lebbisan

Inta lagu jiro SiC epitaxy, ilaalinta heerkulbeeg isku mid ah oo dhan waferka oo dhan waa lama huraan si loo gaaro dhumucda filimka joogtada ah iyo xoojinta dopingka. Giraanta dahaarka leh ee loo yaqaan 'SiC' ee dahaarka leh waxay ka caawisaa isku dheellitirnaanta culeyska kulaylka iyada oo hagaajinaysa kala wareejinta kulaylka ee ka dhexeeya gobolka susceptor iyo wafer, yaraynta dhibcooyinka kulul iyo hubinta samaynta lakabka epitaxial lebbiska xitaa heerkul sarreeya oo ka sarreeya 1600°C.

3. Habka Ilaalinta Deegaanka

Qaybaha garaafyada aan dahaadhka lahayn waxay u nugul yihiin nabaad-guurka kiimikaad iyo sii deynta qayb ka mid ah jawiga epitaxial reactive ee ka kooban gaas sida H₂, SiH₄, iyo C₃H₈. Dahaarka CVD SiC ee giraanta wuxuu u shaqeeyaa sidii xannibaad ilaalin ah, ka soocida substrate-ka garaafyada ee gaasaska wasakhaysan, sidaas awgeed waxay yaraynaysaa wasakhowga wasakhaysan waxayna ka hortagtaa walxaha kaarboon-ku-salaysan inay soo galaan aagga koritaanka. Tani waxay keenaysaa nadiifinta dusha sare ee wafer-ka iyo waxsoosaarka aaladaha oo sarreeya.

4. Yaraynta Saamaynta Cirifka iyo Hagaajinta socodka Gaaska

Nidaamyada 8-inch ee sare ee SiC epitaxy, lebiska cidhifku inta badan waa caqabad geedi socodka muhiimka ah. Giraanta garaafiga ee dahaarka leh ee SiC waxay caawisaa xasilinta qulqulka gaaska laminar ee u dhow cidhifka wafer, ka hortagga aagagga qalalaasaha iyo hubinta jawiga lakabka xadka ee la kantaroolay. Qaybinta qulqulka gaaska ee la wanaajiyay waxay gacan ka geysataa hagaajinta kontoroolka dhumucda epitaxial, yaraynta qashinka walxaha iyo hubinta dhigista lakabka tayada sare leh xitaa maraqyada waaweyn ee dhexroorka ah.

5. Waafaqid Naqshado Reactor Multiple

Semixlab's SiC's giraangiraha garaafyada dahaarka leh waxaa loogu talagalay inay la jaanqaadaan noocyada qalabka epitaxy-ga waaweyn sida AIXTRON, Veeco, iyo LPE. Siddooyinka waxaa lagu habeyn karaa joomatari, dhumucda dahaarka, iyo qaab dhismeedka is-dhexgalka si ay si sax ah u wajahaan shirar fal-celineed oo gaar ah, taasoo awood u siineysa is-dhexgalka aan kala go'a lahayn iyo waxqabadka xasilloon ee qaybaha kala duwan ee epitaxial.

6. Cusboonaysiinta Qaybta Cimriga iyo Isku halaynta Habka

Iyada oo la adeegsanayo isku dhafka xoogga farsamada sare ee garaafyada isostatic iyo CVD SiC ee xirashada gaarka ah, giraanta dahaarka leh ayaa soo bandhigaysa adkeysi aad u wanaagsan oo hoos yimaada hawlgal wareeg ah oo muddo dheer ah. Waxay ka hortagtaa microcracking, daxalka kiimikaad, iyo daalka kulaylka, hubinta waxqabadka xasilloon ee wareegyada geeddi-socodka dheeriga ah, taas oo hoos u dhigaysa soo noqnoqda dayactirka iyo kharashyada hawlgalka ee khadadka wax soo saarka epitaxy-ga sarreeya.

Faa'iidooyinka Semixlab

Iyada oo in ka badan labaatan sano oo khibrad ah oo ku saabsan epitaxy semiconductor iyo teknoolojiyadda daahan dhoobada sare leh, Semixlab waxay siisaa xalal dhammaystiran qaybaha SiC ee nadiifka ah.

Faa'iidooyinkayada Muhiimka ah:

●Wax-soo-saarka khaaska ah: Cabbirrada lagu habeeyey, dhumucda dahaarka, iyo joomatari iyadoo loo eegayo naqshadaha reactor ee gaarka ah (AIXTRON, Veeco, LPE, iwm.).

●Muunada Taageerada: Adeegga muunadda degdega ah ee soo saarista iyo muunad u helida qiimaynta iyo habraaca ansixinta.

●La-talinta Farsamada: Injineerada khibradda leh waxay bixiyaan iibka kahor iyo habka la-talinta isdhexgalka si kor loogu qaado waxqabadka iyo cimri dhererka.

● Xaqiijinta tayada: Qayb kastaa waxay martaa kormeer sax ah, cabirka dhumucda dahaarka, iyo tijaabinta heerkul sare kahor dhalmada.