Suuxiyaha meeraha ee SiC ee dahaarka leh

Susceptor-ka Semixlab ee SiC Coated Planetary Susceptor waxaa loo sameeyay habka epitaxy semiconductor-ka jiilka soo socda iyo habka CVD ee kulaylka, halkaas oo isku-dhafka kulaylka, koritaanka aan cillad lahayn, iyo xasilloonida qolka muddada-dheer ay muhiim u yihiin wax-soo-saarka qalabka. Side-kan waxaa si gaar ah loogu talagalay deegaannada heerkulka sare leh ee ka sarreeya 1500°C iyo kiimikada gaaska ee adag ee badanaa laga helo nidaamyada epitaxial silicon, SiC, iyo GaN. Dahaarka SiC ee gaarka loo leeyahay wuxuu bixiyaa lakab ilaalin cufan oo saafi ah oo ka hortagaya wasakhowga wuxuuna hubiyaa hawlgal deggan oo muddo dheer ah oo ku saabsan warshadaha wax soo saarka ee dalbanaya.

Hawsha epitaxial-ka semiconductor-ka sida koritaanka Si, SiC, iyo GaN, sidayaasha wafer-ka meeraha waxay u adeegaan sidii madal farsamo iyo kuleyl ah oo udub dhexaad u ah u qaadista wafer-ka aagga falcelinta. Gudbintooda kulaylka ee la hagaajiyay waxay suurtogal ka dhigaysaa qaybinta heerkulka saxda ah, halka nidaamka wareegga meeraha uu hubinayo isku mid ahaanshaha heerarka koritaanka, ku darista dopant-ka, iyo tayada kiristaalka ee wafer-yada badan. Wax soo saarka qalabka korontada SiC, xitaa ±1-2% isbeddelka heerkulka substrate-ka ayaa saameeya cufnaanta kala-baxa diyaaradda hoose iyo waxqabadka qalabka. Isku-midnimada kulaylka ee la xoojiyay ee ay bixiyaan sideyaasha wafer-ka meeraha ee SiC-da ku dahaaran waxay ka caawisaa warshadaha inay yareeyaan cufnaanta cilladaha, hagaajiyaan isku-midnimada dhumucda, iyo kordhinta wax-soo-saarka dufcadda-ilaa-dufcadda.

Marka laga soo tago hababka epitaxial, suuxdintani sidoo kale waa muhiim u ah faafinta uumiga kiimikada iyo hababka daminta kulaylka, iyadoo u adeegta sidii is-dhexgal kuleyl oo deggan oo u dhexeeya isha kulaylka iyo dusha sare ee wafer. Astaamaha dusha sare ee aan haraaga lahayn, oo aan lahayn walxaha yaryar waxay yareeyaan khatarta wasakhowga inta lagu jiro wareegga kulaylka ee dheeraadka ah, iyagoo ka ilaalinaya wafers-ka godka, sameynta walxaha, ama wasakheynta dambe. Marka la barbardhigo isku-dhafka taageerada ee ku salaysan graphite-ka caadiga ah, naqshadeynta dahaarka SiC ee Semixlab si weyn ayay u dheereysaa cimriga adeegga, waxay yareysaa waqtiga shaqada ee nadiifinta iyo dib-u-hagaajinta, waxayna bixisaa kharashyo yar oo loogu talagalay khadadka wax soo saarka mugga sare leh.

Susceptor kasta oo Semixlab SiC ah oo la dahaadhay oo ah nooca Planetary Susceptor waxaa lagu sameeyaa iyadoo la adeegsanayo substrates graphite saafi ah oo sarreeya iyo tignoolajiyada kaydinta dahaarka CVD SiC ee horumarsan si loo hubiyo xoogga isku dhejinta dahaarka, isku mid ahaanshaha dhumucda, iyo iska caabbinta shoogga kulaylka. Badeecadu waxay bixisaa cabbirro iyo habayn la habeyn karo si loo waafajiyo goobaha epitaxial ee hormuudka ka ah wax soo saarka qalabka semiconductor-ka ee caadiga ah. Adeegyada farsamada ee Semixlab waxay ka kooban yihiin qiimeynta waxqabadka dahaarka, la-talinta iswaafajinta qolka, iyo maaraynta wareegga nolosha, oo loogu talagalay in lagu caawiyo warshadaha inay ballaariyaan awoodda, ilaaliyaan wax soo saarka, iyo kor u qaadaan wareegyada wax soo saarka qalabka. Waxaan si daacad ah u rajeyneynaa su'aalahaaga dheeraadka ah.