Giraan dahaarka leh ee TaC ee loogu talagalay SiC Epitaxial Reactor

Falaagada epitaxial-ka ee silicon carbide, heerkulka hawlgalka ayaa caadi ahaan ka badan 1600 °C iyadoo la adeegsanayo jawi aad u daxal badan oo hydrogen iyo chlorine ah. Waxqabadka qaybaha xakamaynta xuduudaha iyo geesaha ayaa si toos ah u saameeya tayada lakabka epitaxial, isku dheelitirka wax soo saarka, iyo waqtiga qalabka. Giraanta dahaarka ee tantalum carbide (TaC) ee Semixlab waxaa si gaar ah loogu farsameeyay inay buuxiyaan shuruudahan adag ee jawiga wax soo saarka tirada badan. Giraantani waxay u adeegaan sidii qaybo muhiim u ah shaqada heerkulka sare ee fallaadhaha epitaxial-ka ee SiC, iyagoo hubinaya xasilloonida habka muddada dheer, koritaanka epitaxial ee isku midka ah, iyo nadiifinta fallaadhaha.

Hawsha epitaxy ee SiC, giraanta dahaarka tantalum carbide (TaC) waxaa la dhigaa meel u dhow geesaha wafer ama aagagga kala-guurka falgalka si loogu socdo kulaylka iyo gaaska. Shaqadooda ugu weyni waa inay xasiliyaan heerarka heerkulka maxalliga ah iyo dhaqanka falcelinta uumiga ee geesaha wafer - meelaha ugu nugul dhigista dulinleyda aan la xakamayn iyo isku-midnimada geeska. Iyagoo si sax ah u qeexaya xuduudaha falcelinta iyo xakamaynta dhigista silicon iyo kaarboonka aan loo baahnayn, giraantahan dahaarka ah waxay si wax ku ool ah u xoojiyaan isku-midnimada dhumucda epitaxial iyo isku-dheellitirka dopant ee wafers-ka SiC ee dhexroorka weyn.

Dahaarka tantalum carbide ee Semixlab wuxuu doortay sababtoo ah xasilloonidiisa kulaylka ee gaarka ah, firfircoonida kiimikada, iyo iska caabbinta daxalka halide. Iyada oo leh dhibic dhalaalaysa oo ka badan 3880 °C iyo iswaafajin aad u fiican oo lala yeesho H₂, HCl, iyo kiimikooyinka kale ee daxalka ah ee badanaa loo isticmaalo hababka epitaxy ee silicon carbide, TaC si wax ku ool ah ayay uga ilaalisaa substrate-ka hoose nabaad-guurka iyo burburka qaab-dhismeedka. Qaab-dhismeedkan dahaarka ee cufnaanta sare leh, ee daloolka hooseeya wuxuu yareeyaa soo saarista walxaha, wuxuu yareeyaa khatarta microcracks ama delamination, wuxuuna hubiyaa xaaladaha fal-galayaasha ee deggan inta lagu jiro wareegyada hawlgalka ee dheeraadka ah.

Marka la barbardhigo xalalka carbide-ka silicon-ka ee dhaqameed ama susceptor-ka graphite, iska caabbinta sare ee daxalka iyo iska caabbinta daxalka ee Tantalum Carbide Coating si weyn ayay u dheereysaa cimriga qaybaha, taasoo yareyneysa soo noqnoqoshada dayactirka iyo socodka geeddi-socodka ee la xiriira beddelka qaybaha. Marka laga eego dhinaca kharashka wax soo saarka, giraanta dahaarka ee Tantalum Carbide waxay xoojisaa soo noqnoqoshada habka iyo waxtarka kharashka. Khadadka wax soo saarka epitaxial-ka ee wax soo saarka sare leh iyo soo saarista aaladaha korontada ee horumarsan, xasilloonidani waxay u tarjumeysaa wax soo saar sare, isticmaalka qalabka oo hufan, iyo kharashyada wax soo saarka oo hooseeya.

Iyada oo ah shirkad tiknoolajiyadeed oo hormuud ka ah qaybta habka epitaxial semiconductor-ka Shiinaha, Semixlab waxay leedahay khibrad qoto dheer oo ku saabsan teknoolojiyada dahaarka ee horumarsan iyo agabka habka semiconductor-ka. Giraanteena Dahaarka leh ee TaC ee SiC Epitaxial Reactor waxaa la hubaa in la horumarin doono laguna soo saari doono heerarka xakamaynta tayada ee aadka u adag. Semixlab waxay weli ka go'an tahay inay keento tignoolajiyada casriga ah iyo Giraan Dahaarka leh ee TaC ee loo habeeyey xalalka SiC Epitaxial Reactor ee warshadaha semiconductor-ka. Waxaan si daacad ah u rajeyneynaa inaan noqono lammaanahaaga muddada dheer ee Shiinaha.